SI3424BDV-T1-E3 - MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP

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MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Stato RoHS
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Specifiche per SI3424BDV-T1-E3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : SI3424BDV-T1-E3
fabbricante : Vishay Siliconix
Descrizione : MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Serie : TrenchFET®
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 8A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 28 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 19.6nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 735pF @ 15V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 2.1W (Ta), 2.98W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : 6-TSOP
Pacchetto / caso : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : SI342 , SI3424B

Documenti per SI3424BDV-T1-E3

Schede tecniche : SI3424BDV-T1-E3.pdf

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