IPC302N20NFDX1SA1 - MOSFET N-CH 200V 1A SAWN ON FOIL
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 200V 1A SAWN ON FOIL
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
122140 Pieces
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Specifiche per IPC302N20NFDX1SA1
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
IPC302N20NFDX1SA1
fabbricante :
Infineon Technologies
Descrizione :
MOSFET N-CH 200V 1A SAWN ON FOIL
Serie :
OptiMOS™
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
1A (Tj)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
100 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 270µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (massimo) :
-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
-
temperatura di esercizio :
-
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
Sawn on foil
Pacchetto / caso :
Die
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per IPC302N20NFDX1SA1
Schede tecniche :
IPC302N20NFDX1SA1.pdf
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