BSC750N10NDGATMA1 - MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON

codice articolo del costruttore

BSC750N10NDGATMA1

Numero parte interna

AX-BSC750N10NDGATMA1

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

743305 Pieces

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Specifiche per BSC750N10NDGATMA1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : BSC750N10NDGATMA1

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON

Serie : OptiMOS™

Stato parte : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Caratteristica FET : Standard

Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 3.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 75 mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 12µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 11nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 720pF @ 50V

Potenza - Max : 26W

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 8-PowerVDFN

Pacchetto dispositivo fornitore : PG-TDSON-8 Dual

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : BSC75 , BSC750N1

Documenti per BSC750N10NDGATMA1

Schede tecniche : BSC750N10NDGATMA1.pdf

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