TSM80N1R2CL C0G - MOSFET N-CH 800V 5.5A TO262S

codice articolo del costruttore

TSM80N1R2CL C0G

Numero parte interna

AX-TSM80N1R2CL C0G

fabbricante

Taiwan Semiconductor Corporation

Breve descrizione

MOSFET N-CH 800V 5.5A TO262S

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

218500 Pieces

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Specifiche per TSM80N1R2CL C0G

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : TSM80N1R2CL C0G

fabbricante : Taiwan Semiconductor Corporation

Descrizione : MOSFET N-CH 800V 5.5A TO262S

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 800V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 5.5A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.2 Ohm @ 1.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 19.4nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 685pF @ 100V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 110W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-262S (I2PAK)

Pacchetto / caso : TO-262-3 Short Leads, I²Pak

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : TSM80 , TSM80N1

Documenti per TSM80N1R2CL C0G

Schede tecniche : TSM80N1R2CL C0G.pdf

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