SPB100N03S2L-03 G - MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
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MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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9091 Pieces
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Specifiche per SPB100N03S2L-03 G
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : SPB100N03S2L-03 G
fabbricante : Infineon Technologies
Descrizione : MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
Serie : OptiMOS™
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.7 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 220nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 8180pF @ 25V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 300W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : PG-TO263-3-2
Pacchetto / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per SPB100N03S2L-03 G
Schede tecniche : SPB100N03S2L-03 G.pdf
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