SI5915BDC-T1-GE3 - MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8

codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8
Stato RoHS
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Specifiche per SI5915BDC-T1-GE3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : SI5915BDC-T1-GE3
fabbricante : Vishay Siliconix
Descrizione : MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8
Serie : TrenchFET®
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : 2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET : Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) : 8V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 70 mOhm @ 3.3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 14nC @ 8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 420pF @ 4V
Potenza - Max : 3.1W
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 8-SMD, Flat Lead
Pacchetto dispositivo fornitore : 1206-8 ChipFET™
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : SI591 , SI5915BD

Documenti per SI5915BDC-T1-GE3

Schede tecniche : SI5915BDC-T1-GE3.pdf

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