NVGS5120PT1G - MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP

codice articolo del costruttore

NVGS5120PT1G

Numero parte interna

AX-NVGS5120PT1G

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

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1-2 giorni

quantità disponibile

1200155 Pieces

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Specifiche per NVGS5120PT1G

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : NVGS5120PT1G

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 1.8A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 111 mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 18.1nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 942pF @ 30V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 600mW (Ta)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 6-TSOP

Pacchetto / caso : SOT-23-6

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : NVGS , NVGS51

Documenti per NVGS5120PT1G

Schede tecniche : NVGS5120PT1G.pdf

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