SI2316DS-T1-E3 - MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3

codice articolo del costruttore

SI2316DS-T1-E3

Numero parte interna

AX-SI2316DS-T1-E3

fabbricante

Vishay Siliconix

Breve descrizione

MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

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1-2 giorni

quantità disponibile

1702485 Pieces

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Specifiche per SI2316DS-T1-E3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SI2316DS-T1-E3

fabbricante : Vishay Siliconix

Descrizione : MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3

Serie : TrenchFET®

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 2.9A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 50 mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 800mV @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 7nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 215pF @ 15V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 700mW (Ta)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : SOT-23-3 (TO-236)

Pacchetto / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SI23 , SI2316D

Documenti per SI2316DS-T1-E3

Schede tecniche : SI2316DS-T1-E3.pdf

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