LN100LA-G - MOSFET 2N-CH 1200V
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-LN100LA-G
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 1200V
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
28511 Pieces
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Specifiche per LN100LA-G
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
LN100LA-G
fabbricante :
Microchip Technology
Descrizione :
MOSFET 2N-CH 1200V
Serie :
-
Stato parte :
Obsolete
Tipo FET :
2 N-Channel (Cascoded)
Caratteristica FET :
Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) :
1200V (1.2kV)
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3000 Ohm @ 2mA, 2.8V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.6V @ 10µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
50pF @ 25V
Potenza - Max :
350mW
temperatura di esercizio :
-25°C ~ 125°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto / caso :
6-VFLGA
Pacchetto dispositivo fornitore :
6-LFGA (3x3)
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per LN100LA-G
Schede tecniche :
LN100LA-G.pdf
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