DMN33D8LT-7 - MOSFET N-CH 30V 0.115A

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MOSFET N-CH 30V 0.115A
Stato RoHS
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Specifiche per DMN33D8LT-7

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : DMN33D8LT-7
fabbricante : Diodes Incorporated
Descrizione : MOSFET N-CH 30V 0.115A
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 115mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 2.5V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5 Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 0.55nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 48pF @ 5V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 240mW (Ta)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : SOT-523
Pacchetto / caso : SOT-523
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : DMN , DMN33

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Schede tecniche : DMN33D8LT-7.pdf

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