IRLH5030TR2PBF - MOSFET N-CH 100V 13A 8PQFN

codice articolo del costruttore

IRLH5030TR2PBF

Numero parte interna

AX-IRLH5030TR2PBF

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N-CH 100V 13A 8PQFN

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

66345 Pieces

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Specifiche per IRLH5030TR2PBF

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IRLH5030TR2PBF

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N-CH 100V 13A 8PQFN

Serie : HEXFET®

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 13A (Ta), 100A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9 mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 150µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 94nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±16V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 5185pF @ 50V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 3.6W (Ta), 156W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : PQFN (5x6) Single Die

Pacchetto / caso : 8-PowerVDFN

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IRLH , IRLH503

Documenti per IRLH5030TR2PBF

Schede tecniche : IRLH5030TR2PBF.pdf

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