IRF9389TRPBF - MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO

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MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO
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Specifiche per IRF9389TRPBF

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : IRF9389TRPBF
fabbricante : Infineon Technologies
Descrizione : MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO
Serie : HEXFET®
Stato parte : Active
Tipo FET : N and P-Channel
Caratteristica FET : Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 6.8A, 4.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 27 mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 10µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 14nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 398pF @ 15V
Potenza - Max : 2W
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SO
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : IRF9 , IRF938

Documenti per IRF9389TRPBF

Schede tecniche : IRF9389TRPBF.pdf

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