FDG312P - MOSFET P-CH 20V 1.2A SC70-6

codice articolo del costruttore

FDG312P

Numero parte interna

AX-FDG312P

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET P-CH 20V 1.2A SC70-6

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

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1-2 giorni

quantità disponibile

2981040 Pieces

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Specifiche per FDG312P

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : FDG312P

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET P-CH 20V 1.2A SC70-6

Serie : PowerTrench®

Stato parte : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 1.2A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 180 mOhm @ 1.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 5nC @ 4.5V

Vgs (massimo) : ±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 330pF @ 10V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 750mW (Ta)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : SC-88 (SC-70-6)

Pacchetto / caso : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : FD , FDG

Documenti per FDG312P

Schede tecniche : FDG312P.pdf

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