ZXMN6A08GQTA - MOSFET N-CH 60VSOT223
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-ZXMN6A08GQTA
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 60VSOT223
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
977760 Pieces
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Specifiche per ZXMN6A08GQTA
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
ZXMN6A08GQTA
fabbricante :
Diodes Incorporated
Descrizione :
MOSFET N-CH 60VSOT223
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
3.8A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
80 mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
5.8nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
459pF @ 40V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
2W (Ta)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
SOT-223
Pacchetto / caso :
TO-261-4, TO-261AA
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per ZXMN6A08GQTA
Schede tecniche :
ZXMN6A08GQTA.pdf
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