ZXMN6A08GQTA - MOSFET N-CH 60VSOT223

codice articolo del costruttore

ZXMN6A08GQTA

Numero parte interna

AX-ZXMN6A08GQTA

fabbricante

Diodes Incorporated

Breve descrizione

MOSFET N-CH 60VSOT223

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

977760 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per ZXMN6A08GQTA

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : ZXMN6A08GQTA

fabbricante : Diodes Incorporated

Descrizione : MOSFET N-CH 60VSOT223

Serie : Automotive, AEC-Q101

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 3.8A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 80 mOhm @ 4.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 5.8nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 459pF @ 40V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 2W (Ta)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : SOT-223

Pacchetto / caso : TO-261-4, TO-261AA

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : ZXMN , ZXMN6A

Documenti per ZXMN6A08GQTA

Schede tecniche : ZXMN6A08GQTA.pdf

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