RQ3G150GNTB - MOSFET N-CHANNEL 40V 39A 8HSMT

codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CHANNEL 40V 39A 8HSMT
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per RQ3G150GNTB

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : RQ3G150GNTB
fabbricante : Rohm Semiconductor
Descrizione : MOSFET N-CHANNEL 40V 39A 8HSMT
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 39A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.2 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 11.6nC @ 4.5V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1450pF @ 20V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 20W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : 8-HSMT (3.2x3)
Pacchetto / caso : 8-PowerVDFN
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : RQ3 , RQ3G1

Documenti per RQ3G150GNTB

Schede tecniche : RQ3G150GNTB.pdf

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