NDS356AP - MOSFET P-CH 30V 1.1A SSOT3

codice articolo del costruttore

NDS356AP

Numero parte interna

AX-NDS356AP

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET P-CH 30V 1.1A SSOT3

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

2987515 Pieces

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Specifiche per NDS356AP

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : NDS356AP

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET P-CH 30V 1.1A SSOT3

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 1.1A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 200 mOhm @ 1.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 4.4nC @ 5V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 280pF @ 10V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 500mW (Ta)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : SuperSOT-3

Pacchetto / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

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Documenti per NDS356AP

Schede tecniche : NDS356AP.pdf

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