IRFHM831TRPBF - MOSFET N-CH 30V 14A PQFN
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 30V 14A PQFN
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
16776 Pieces
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Specifiche per IRFHM831TRPBF
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
IRFHM831TRPBF
fabbricante :
Infineon Technologies
Descrizione :
MOSFET N-CH 30V 14A PQFN
Serie :
HEXFET®
Stato parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
14A (Ta), 40A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7.8 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.35V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
16nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
1050pF @ 25V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
2.5W (Ta), 27W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
PQFN (3x3)
Pacchetto / caso :
8-PowerTDFN
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per IRFHM831TRPBF
Schede tecniche :
IRFHM831TRPBF.pdf
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