IGT60R190D1SATMA1 - IC GAN FET 600V 23A 8HSOF

codice articolo del costruttore

IGT60R190D1SATMA1

Numero parte interna

AX-IGT60R190D1SATMA1

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

IC GAN FET 600V 23A 8HSOF

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

53295 Pieces

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Specifiche per IGT60R190D1SATMA1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IGT60R190D1SATMA1

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : IC GAN FET 600V 23A 8HSOF

Serie : CoolGaN™

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : GaNFET (Gallium Nitride)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 12.5A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : -

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.6V @ 960µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (massimo) : -10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 157pF @ 400V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 55.5W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : PG-HSOF-8-3

Pacchetto / caso : 8-PowerSFN

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IGT60 , IGT60R19

Documenti per IGT60R190D1SATMA1

Schede tecniche : IGT60R190D1SATMA1.pdf

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