SSM6N42FE(TE85L,F) - MOSFET 2N-CH 20V 0.8A ES6

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MOSFET 2N-CH 20V 0.8A ES6
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per SSM6N42FE(TE85L,F)

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : SSM6N42FE(TE85L,F)
fabbricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione : MOSFET 2N-CH 20V 0.8A ES6
Serie : -
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET : Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 800mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 240 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 2nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 90pF @ 10V
Potenza - Max : 150mW
temperatura di esercizio : 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : SOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitore : ES6 (1.6x1.6)
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : SSM6N4 , SSM6N42FE

Documenti per SSM6N42FE(TE85L,F)

Schede tecniche : SSM6N42FE(TE85L,F).pdf

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