AON1606_001 - MOSFET N-CH 20V 0.7A 3DFN

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MOSFET N-CH 20V 0.7A 3DFN
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Specifiche per AON1606_001

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : AON1606_001
fabbricante : Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Descrizione : MOSFET N-CH 20V 0.7A 3DFN
Serie : -
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 700mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 275 mOhm @ 400mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 850nC @ 4.5V
Vgs (massimo) : ±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 62.5pF @ 10V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 900mW (Ta)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : 3-DFN (1.0 x 0.60)
Pacchetto / caso : 3-UFDFN
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
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Documenti per AON1606_001

Schede tecniche : AON1606_001.pdf

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