RN1701JE(TE85L,F) - TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
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Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
5301660 Pieces
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Specifiche per RN1701JE(TE85L,F)
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
RN1701JE(TE85L,F)
fabbricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione :
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
Serie :
-
Stato parte :
Active
Transistor Type :
2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Corrente - Collector (Ic) (Max) :
100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
50V
Resistor - Base (R1) :
4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) :
4.7 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
30 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :
300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Limite del collettore (max) :
100nA (ICBO)
Frequenza - Transizione :
250MHz
Potenza - Max :
100mW
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto / caso :
SOT-553
Pacchetto dispositivo fornitore :
ESV
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per RN1701JE(TE85L,F)
Schede tecniche :
RN1701JE(TE85L,F).pdf
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