IPD127N06LGBTMA1 - MOSFET N-CH 60V 50A TO-252

codice articolo del costruttore

IPD127N06LGBTMA1

Numero parte interna

AX-IPD127N06LGBTMA1

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N-CH 60V 50A TO-252

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

824435 Pieces

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Specifiche per IPD127N06LGBTMA1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IPD127N06LGBTMA1

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N-CH 60V 50A TO-252

Serie : OptiMOS™

Stato parte : Not For New Designs

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 50A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12.7 mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 80µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 69nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2300pF @ 30V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 136W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : PG-TO252-3

Pacchetto / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IPD12 , IPD127N0

Documenti per IPD127N06LGBTMA1

Schede tecniche : IPD127N06LGBTMA1.pdf

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