APTM20DAM05G - MOSFET N-CH 200V 317A SP6

codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 200V 317A SP6
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per APTM20DAM05G

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : APTM20DAM05G
fabbricante : Microsemi Corporation
Descrizione : MOSFET N-CH 200V 317A SP6
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 317A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6 mOhm @ 158.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 448nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 27400pF @ 25V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 1136W (Tc)
temperatura di esercizio : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Chassis Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : SP6
Pacchetto / caso : SP6
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : APTM , APTM20

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Schede tecniche : APTM20DAM05G.pdf

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