FDMD8900 - MOSFET 2N-CH 30V POWER

codice articolo del costruttore

FDMD8900

Numero parte interna

AX-FDMD8900

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET 2N-CH 30V POWER

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

482800 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per FDMD8900

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : FDMD8900

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET 2N-CH 30V POWER

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Caratteristica FET : Standard

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 19A, 17A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4 mOhm @ 19A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 35nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2605pF @ 15V

Potenza - Max : 2.1W

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 12-PowerWDFN

Pacchetto dispositivo fornitore : 12-Power3.3x5

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : FD , FDMD

Documenti per FDMD8900

Schede tecniche : FDMD8900.pdf

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