IPI12CNE8N G - MOSFET N-CH 85V 67A TO262-3

codice articolo del costruttore

IPI12CNE8N G

Numero parte interna

AX-IPI12CNE8N G

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N-CH 85V 67A TO262-3

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

8424 Pieces

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Specifiche per IPI12CNE8N G

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IPI12CNE8N G

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N-CH 85V 67A TO262-3

Serie : OptiMOS™

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 85V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 67A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12.6 mOhm @ 67A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 83µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 64nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 4340pF @ 40V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 125W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : PG-TO262-3

Pacchetto / caso : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IPI1 , IPI12C

Documenti per IPI12CNE8N G

Schede tecniche : IPI12CNE8N G.pdf

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