TK100L60W,VQ - MOSFET N CH 600V 100A TO3PL

codice articolo del costruttore

TK100L60W,VQ

Numero parte interna

AX-TK100L60W,VQ

fabbricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione

MOSFET N CH 600V 100A TO3PL

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

23968 Pieces

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Specifiche per TK100L60W,VQ

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : TK100L60W,VQ

fabbricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descrizione : MOSFET N CH 600V 100A TO3PL

Serie : DTMOSIV

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 100A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 18 mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.7V @ 5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 360nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 15000pF @ 30V

Caratteristica FET : Super Junction

Dissipazione di potenza (max) : 797W (Tc)

temperatura di esercizio : 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-3P(L)

Pacchetto / caso : TO-3PL

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : TK10 , TK100L

Documenti per TK100L60W,VQ

Schede tecniche : TK100L60W,VQ.pdf

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