2SK1835-E - MOSFET N-CH 1500V 4A TO-3P

codice articolo del costruttore
Numero parte interna
Breve descrizione
MOSFET N-CH 1500V 4A TO-3P
Stato RoHS
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Specifiche per 2SK1835-E

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : 2SK1835-E
fabbricante : Renesas Electronics America
Descrizione : MOSFET N-CH 1500V 4A TO-3P
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 1500V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 4A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7 Ohm @ 2A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1700pF @ 10V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 125W (Tc)
temperatura di esercizio : 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore : TO-3P
Pacchetto / caso : TO-3P-3, SC-65-3
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : 2SK , 2SK1

Documenti per 2SK1835-E

Schede tecniche : 2SK1835-E.pdf

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