1N4150W-G3-18 - DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123

codice articolo del costruttore
Numero parte interna
Breve descrizione
DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per 1N4150W-G3-18

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : 1N4150W-G3-18
fabbricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrizione : DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123
Serie : -
Stato parte : Active
Diodo : Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 50V
Corrente: media rettificata (Io) : 200mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 1V @ 200mA
Velocità : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr) : 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr : 100nA @ 50V
Capacità @ Vr, F : 2.5pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : SOD-123
Pacchetto dispositivo fornitore : SOD-123
Temperatura operativa - Giunzione : -55°C ~ 150°C
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
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Documenti per 1N4150W-G3-18

Schede tecniche : 1N4150W-G3-18.pdf

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