PSMN5R0-100ES,127 - MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK

codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
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133215 Pieces
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Specifiche per PSMN5R0-100ES,127

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : PSMN5R0-100ES,127
fabbricante : Nexperia USA Inc.
Descrizione : MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 120A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 170nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 9900pF @ 50V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 338W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio : Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore : I2PAK
Pacchetto / caso : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
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Documenti per PSMN5R0-100ES,127

Schede tecniche : PSMN5R0-100ES,127.pdf

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