IPL65R650C6SATMA1 - MOSFET N-CH 8TSON
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 8TSON
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
655760 Pieces
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Specifiche per IPL65R650C6SATMA1
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
IPL65R650C6SATMA1
fabbricante :
Infineon Technologies
Descrizione :
MOSFET N-CH 8TSON
Serie :
CoolMOS™ C6
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
6.7A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
650 mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 210µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
21nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
440pF @ 100V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
56.8W (Tc)
temperatura di esercizio :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
Thin-PAK (5x6)
Pacchetto / caso :
8-PowerTDFN
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per IPL65R650C6SATMA1
Schede tecniche :
IPL65R650C6SATMA1.pdf
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