STW65N65DM2AG - MOSFET N-CH 650V 60A

codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 650V 60A
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per STW65N65DM2AG

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : STW65N65DM2AG
fabbricante : STMicroelectronics
Descrizione : MOSFET N-CH 650V 60A
Serie : Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 60A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 50 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 120nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 5500pF @ 100V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 446W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore : TO-247
Pacchetto / caso : TO-247-3
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : STW6 , STW65N

Documenti per STW65N65DM2AG

Schede tecniche : STW65N65DM2AG.pdf

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