STW65N65DM2AG - MOSFET N-CH 650V 60A

codice articolo del costruttore

STW65N65DM2AG

Numero parte interna

AX-STW65N65DM2AG

fabbricante

STMicroelectronics

Breve descrizione

MOSFET N-CH 650V 60A

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

58266 Pieces

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Specifiche per STW65N65DM2AG

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : STW65N65DM2AG

fabbricante : STMicroelectronics

Descrizione : MOSFET N-CH 650V 60A

Serie : Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 60A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 50 mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 120nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 5500pF @ 100V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 446W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-247

Pacchetto / caso : TO-247-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : STW6 , STW65N

Documenti per STW65N65DM2AG

Schede tecniche : STW65N65DM2AG.pdf

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