TPCC8093,L1Q - X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-TPCC8093,L1Q
fabbricante
Breve descrizione
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
2197400 Pieces
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Specifiche per TPCC8093,L1Q
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
TPCC8093,L1Q
fabbricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione :
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Serie :
U-MOSVII
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
21A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5.8 mOhm @ 10.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.2V @ 500µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
16nC @ 5V
Vgs (massimo) :
±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
1860pF @ 10V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
1.9W (Ta), 30W (Tc)
temperatura di esercizio :
150°C
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
8-TSON Advance (3.3x3.3)
Pacchetto / caso :
8-PowerVDFN
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per TPCC8093,L1Q
Schede tecniche :
TPCC8093,L1Q.pdf
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