TSM60N1R4CH C5G - MOSFET N-CH 600V 3.3A TO251
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Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 600V 3.3A TO251
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
1015825 Pieces
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Specifiche per TSM60N1R4CH C5G
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
TSM60N1R4CH C5G
fabbricante :
Taiwan Semiconductor Corporation
Descrizione :
MOSFET N-CH 600V 3.3A TO251
Serie :
-
Stato parte :
Not For New Designs
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
3.3A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.4 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
7.7nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
370pF @ 100V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
38W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore :
TO-251 (IPAK)
Pacchetto / caso :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per TSM60N1R4CH C5G
Schede tecniche :
TSM60N1R4CH C5G.pdf
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