CSD25213W10 - MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-CSD25213W10
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
3680490 Pieces
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Specifiche per CSD25213W10
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
CSD25213W10
fabbricante :
Texas Instruments
Descrizione :
MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA
Serie :
NexFET™
Stato parte :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
1.6A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
47 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
2.9nC @ 4.5V
Vgs (massimo) :
-6V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
478pF @ 10V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
1W (Ta)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
4-DSBGA (1x1)
Pacchetto / caso :
4-UFBGA, DSBGA
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per CSD25213W10
Schede tecniche :
CSD25213W10.pdf
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