CSD16327Q3T - CSD16327Q3T

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Numero parte interna
fabbricante
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CSD16327Q3T
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per CSD16327Q3T

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : CSD16327Q3T
fabbricante : Texas Instruments
Descrizione : CSD16327Q3T
Serie : NexFET™
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 60A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 3V, 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4 mOhm @ 24A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 8.4nC @ 4.5V
Vgs (massimo) : +10V, -8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1300pF @ 12.5V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 74W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Pacchetto / caso : 8-PowerTDFN
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : CSD , CSD16

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Schede tecniche : CSD16327Q3T.pdf

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