TK65G10N1,RQ - MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK

codice articolo del costruttore

TK65G10N1,RQ

Numero parte interna

AX-TK65G10N1,RQ

fabbricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione

MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

359515 Pieces

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Specifiche per TK65G10N1,RQ

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : TK65G10N1,RQ

fabbricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descrizione : MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK

Serie : U-MOSVIII-H

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 65A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.5 mOhm @ 32.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 81nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 5400pF @ 50V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 156W (Tc)

temperatura di esercizio : 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : D2PAK

Pacchetto / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : TK65 , TK65G1

Documenti per TK65G10N1,RQ

Schede tecniche : TK65G10N1,RQ.pdf

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