IRF1902GPBF - MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SOIC

codice articolo del costruttore

IRF1902GPBF

Numero parte interna

AX-IRF1902GPBF

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SOIC

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

16152 Pieces

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Specifiche per IRF1902GPBF

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IRF1902GPBF

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SOIC

Serie : HEXFET®

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 4.2A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 85 mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 700mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 7.5nC @ 4.5V

Vgs (massimo) : -

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 310pF @ 15V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : -

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SO

Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IRF , IRF19

Documenti per IRF1902GPBF

Schede tecniche : IRF1902GPBF.pdf

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