FDV303N_NB9U008 - MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23

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MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per FDV303N_NB9U008

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : FDV303N_NB9U008
fabbricante : ON Semiconductor
Descrizione : MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23
Serie : -
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 680mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 2.7V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 450 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 2.3nC @ 4.5V
Vgs (massimo) : 8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 50pF @ 10V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 350mW (Ta)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : SOT-23
Pacchetto / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : FDV30 , FDV303N

Documenti per FDV303N_NB9U008

Schede tecniche : FDV303N_NB9U008.pdf

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