IRL60S216 - MOSFET N-CH 60V 195A

codice articolo del costruttore

IRL60S216

Numero parte interna

AX-IRL60S216

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N-CH 60V 195A

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

112275 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per IRL60S216

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IRL60S216

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N-CH 60V 195A

Serie : HEXFET®, StrongIRFET™

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 195A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.95 mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 255nC @ 4.5V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 15330pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 375W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : D2PAK

Pacchetto / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

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Documenti per IRL60S216

Schede tecniche : IRL60S216.pdf

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