TK20C60W,S1VQ - MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK

codice articolo del costruttore
Numero parte interna
Breve descrizione
MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per TK20C60W,S1VQ

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : TK20C60W,S1VQ
fabbricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione : MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK
Serie : DTMOSIV
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 20A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 155 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.7V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 48nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1680pF @ 300V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 165W (Tc)
temperatura di esercizio : 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore : I2PAK
Pacchetto / caso : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : TK20 , TK20C6

Documenti per TK20C60W,S1VQ

Schede tecniche : TK20C60W,S1VQ.pdf

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