IPB47N10SL26ATMA1 - MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3

codice articolo del costruttore

IPB47N10SL26ATMA1

Numero parte interna

AX-IPB47N10SL26ATMA1

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

448405 Pieces

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Specifiche per IPB47N10SL26ATMA1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IPB47N10SL26ATMA1

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3

Serie : SIPMOS®

Stato parte : Not For New Designs

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 47A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 26 mOhm @ 33A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 2mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 135nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2500pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 175W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : PG-TO263-3-2

Pacchetto / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IPB47 , IPB47N10

Documenti per IPB47N10SL26ATMA1

Schede tecniche : IPB47N10SL26ATMA1.pdf

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