BSZ110N06NS3GATMA1 - MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8

codice articolo del costruttore

BSZ110N06NS3GATMA1

Numero parte interna

AX-BSZ110N06NS3GATMA1

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

1481825 Pieces

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Specifiche per BSZ110N06NS3GATMA1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : BSZ110N06NS3GATMA1

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8

Serie : OptiMOS™

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 20A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11 mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 23µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 33nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2700pF @ 30V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 2.1W (Ta), 50W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : PG-TSDSON-8

Pacchetto / caso : 8-PowerVDFN

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : BSZ110 , BSZ110N06

Documenti per BSZ110N06NS3GATMA1

Schede tecniche : BSZ110N06NS3GATMA1.pdf

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