FDV302P-NB8V001 - MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23

codice articolo del costruttore

FDV302P-NB8V001

Numero parte interna

AX-FDV302P-NB8V001

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

16216 Pieces

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Specifiche per FDV302P-NB8V001

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : FDV302P-NB8V001

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23

Serie : -

Stato parte : Discontinued at Digi-Key

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 120mA (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 2.7V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 Ohm @ 200mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 0.31nC @ 4.5V

Vgs (massimo) : -8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 11pF @ 10V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 350mW (Ta)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : SOT-23

Pacchetto / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : FDV30 , FDV302P

Documenti per FDV302P-NB8V001

Schede tecniche : FDV302P-NB8V001.pdf

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