6A80GHB0G - DIODE GEN PURP 800V 6A R-6

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DIODE GEN PURP 800V 6A R-6
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per 6A80GHB0G

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : 6A80GHB0G
fabbricante : Taiwan Semiconductor Corporation
Descrizione : DIODE GEN PURP 800V 6A R-6
Serie : Automotive, AEC-Q101
Stato parte : Active
Diodo : Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 800V
Corrente: media rettificata (Io) : 6A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 1V @ 6A
Velocità : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) : -
Corrente - Perdita inversa @ Vr : 10µA @ 800V
Capacità @ Vr, F : 60pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio : Through Hole
Pacchetto / caso : R6, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore : R-6
Temperatura operativa - Giunzione : -55°C ~ 150°C
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : 6A8 , 6A80

Documenti per 6A80GHB0G

Schede tecniche : 6A80GHB0G.pdf

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