SI8441DB-T2-E1 - MOSFET P-CH 20V 10.5A 2X2 6MFP
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MOSFET P-CH 20V 10.5A 2X2 6MFP
Stato RoHS
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Specifiche per SI8441DB-T2-E1
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : SI8441DB-T2-E1
fabbricante : Vishay Siliconix
Descrizione : MOSFET P-CH 20V 10.5A 2X2 6MFP
Serie : TrenchFET®
Stato parte : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 10.5A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 80 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 700mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 13nC @ 5V
Vgs (massimo) : ±5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 600pF @ 10V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 2.77W (Ta), 13W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Pacchetto / caso : 6-UFBGA
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per SI8441DB-T2-E1
Schede tecniche : SI8441DB-T2-E1.pdf
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