NSBC114TDXV6T1G - TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

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fabbricante
Breve descrizione
TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per NSBC114TDXV6T1G

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : NSBC114TDXV6T1G
fabbricante : ON Semiconductor
Descrizione : TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Serie : -
Stato parte : Active
Transistor Type : 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collector (Ic) (Max) : 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) : 50V
Resistor - Base (R1) : 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) : -
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce : 160 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic : 250mV @ 1mA, 10mA
Corrente - Limite del collettore (max) : 500nA
Frequenza - Transizione : -
Potenza - Max : 500mW
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : SOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitore : SOT-563
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : NSBC1 , NSBC114

Documenti per NSBC114TDXV6T1G

Schede tecniche : NSBC114TDXV6T1G.pdf

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