IPB030N08N3GATMA1 - MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7
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fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per IPB030N08N3GATMA1
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : IPB030N08N3GATMA1
fabbricante : Infineon Technologies
Descrizione : MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7
Serie : OptiMOS™
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 80V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 160A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 155µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 117nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 8110pF @ 40V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 214W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : PG-TO263-7
Pacchetto / caso : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per IPB030N08N3GATMA1
Schede tecniche : IPB030N08N3GATMA1.pdf
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