IRFS3307PBF - MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK

codice articolo del costruttore

IRFS3307PBF

Numero parte interna

AX-IRFS3307PBF

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

51510 Pieces

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Specifiche per IRFS3307PBF

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IRFS3307PBF

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK

Serie : HEXFET®

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 75V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 120A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.3 mOhm @ 75A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 150µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 180nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 5150pF @ 50V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 200W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : D2PAK

Pacchetto / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IRF , IRFS3

Documenti per IRFS3307PBF

Schede tecniche : IRFS3307PBF.pdf

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