EPC2107ENGRT - GAN TRANS 3N-CH 100V BUMPED DIE

codice articolo del costruttore

EPC2107ENGRT

Numero parte interna

AX-EPC2107ENGRT

fabbricante

EPC

Breve descrizione

GAN TRANS 3N-CH 100V BUMPED DIE

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

538710 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per EPC2107ENGRT

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : EPC2107ENGRT

fabbricante : EPC

Descrizione : GAN TRANS 3N-CH 100V BUMPED DIE

Serie : eGaN®

Stato parte : Active

Tipo FET : 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)

Caratteristica FET : GaNFET (Gallium Nitride)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 1.7A, 500mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 16pF @ 50V, 7pF @ 50V

Potenza - Max : -

temperatura di esercizio : -40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 9-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore : 9-BGA (1.35x1.35)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : EPC2 , EPC210

Documenti per EPC2107ENGRT

Schede tecniche : EPC2107ENGRT.pdf

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