STI23NM60ND - MOSFET N-CH 600V 19.5A I2PAK

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MOSFET N-CH 600V 19.5A I2PAK
Stato RoHS
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Specifiche per STI23NM60ND

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : STI23NM60ND
fabbricante : STMicroelectronics
Descrizione : MOSFET N-CH 600V 19.5A I2PAK
Serie : FDmesh™ II
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 19.5A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 180 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 70nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2050pF @ 50V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 150W (Tc)
temperatura di esercizio : 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore : I2PAK
Pacchetto / caso : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
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Schede tecniche : STI23NM60ND.pdf

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